昇華法装置
SiCバルク育成に
数多くの実績を持つ量産装置
1torrからの微量な圧力制御
S278 / S380
概要
真空中または不活性ガス中で原料を加熱し昇華させ、種結晶に析出させる単結晶育成方法です。
特長
- 超高温仕様に耐えるため、炉芯管に冷却式の２重石英管を採用
- 最高2700℃での使用が可能です
- コンピュータ制御により全自動制御が可能です
- 1torrから大気圧までの幅広いレンジで微量な圧力制御が可能です。
- 高真空対応
- PC制御
応用例
SiC、AlN
(写真はSiC単結晶です）
仕様
| 育成方法 | 昇華法 |
|---|---|
| ターゲット結晶 | 2～8インチ、SiC単結晶 |
| 加熱方式 | 高周波誘導加熱方式 |
| 加熱温度 | 最高2500℃ |
| 圧力制御 | 10～100torr±1torr |
| チャンバー | 水冷２重石英管 |
| 雰囲気 | Ar・N2 |
| 真空排気装置 | ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプ |
