液相エピタキシャル装置(LPE炉)
2重シャッターで均熱が取りやすい
化合物用単結晶育成装置
概要
LPE装置（Liquid Phase Epitaxial）は液相にて薄膜結晶を成長させる装置です。
３ゾーンヒーターにより最適な温度勾配を得ることが可能です。
特長
- シャッターが2重になっており均熱が取りやすくなっております
- フラックスを上部より排気出来ます
- 高精度な基板昇降、回転駆動機構
仕様
| 加熱方式 | 抵抗加熱方式、3ゾーン |
|---|---|
| ヒーター | カンタルスーパー、各種金属発熱体（Mo、W、Ni、Cr） |
| 加熱温度 |
800～1300℃ |
| 均熱長 |
150mm±1℃（空炉） |
| 昇降速度 |
高速5～200mm/min、低速0.5～20mm/h |
| 回転速度 |
1～30rpm/min（CW、CCW） |
