抵抗加熱式引上げ装置（CZ法）
抵抗加熱式引上げ装置
抵抗加熱式結晶育成装置
概要
本装置は、抵抗加熱を利用したCZ（Czochralski）法引き上げ装置です。
るつぼのなかの融液にシード結晶を浸けて結晶を回転させながら引き上げる応用例の最も多い単結晶育成装置です。
標準装備のADC（Automatic Diameter Control）システムで結晶径を自動で制御しながら育成することができます。
応用例
LGS、Sapphire、YAG、NdYAG、YAP、NdYAP、LuAG、YbLuAG、NdCrGSGG、BGO、PM、YVO、LBO、BSO、LSO、CaF、Si等
仕様
| チャンバー |
円筒型水冷式二重構造、耐真空構造、ID1000X1400mm |
|---|---|
| 熱源 | ヒーター（カーボン、カンタルなど） |
| 加熱容量 | メイン70kW、ボトム60kW |
| 加熱温度 | 最高2100℃ |
| 雰囲気 | 不活性ガス、真空 |
| 真空排気装置 | 油拡散ポンプ＋ロータリーポンプ |
| 制御装置 | ADC機能付き結晶育成装置 |
| データー出力 | 温度、結晶重量、各機能部移動速度及び位置情報等 安全回路 |
